Görsel mevcut değil
IRG4PH50SPBF
IRG4PH50SPBF Hakkında
IRG4PH50SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V 57A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerinde ve motor sürücü devrelerinde kullanılır. 200W maksimum güç rating'ine sahip olan transistör, 1.7V Vce(on) voltajı ile düşük konuksiyon kaybı sağlar. 1200V break-down voltajı, yüksek voltaj uygulamalarına uygunluğunu gösterir. Pulsed akım kapasitesi 114A'ye ulaşır. Gate charge değeri 167nC olup, anahtarlama hızı 32ns açılış ve 845ns kapanış delay'i ile karakterize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında stabildir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
57 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
114 A
Gate Charge
167 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
32ns/845ns
Test Condition
960V, 33A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 33A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V