Görsel mevcut değil
IRG4PH50KDPBF
IRG4PH50KDPBF Hakkında
IRG4PH50KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 45A sürekli collector akımı ve 90A darbe akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 200W maksimum güç disipasyonuna sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışmaktadır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 24A collector akımında 3.5V olarak belirtilmiştir. 180nC gate charge ve 90ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır. İleri anahtarlama süresi 87ns, geri anahtarlama süresi ise 140ns'dir. Endüstriyel frekans dönüştürücüler, motor sürücüler, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Üretim durumu: Kullanımdan kaldırılmış (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
45 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
90 A
Gate Charge
180 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Reverse Recovery Time (trr)
90 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
3.83mJ (on), 1.9mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
87ns/140ns
Test Condition
800V, 24A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.5V @ 15V, 24A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V