Görsel mevcut değil
IRG4PH40UD-EPBF
IRG4PH40UD-EPBF Hakkında
IRG4PH40UD-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maksimum 41A sürekli akım ve 82A darbe akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, 160W gücü işleyebilir. TO-247-3 paketinde sunulan transistör, endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, inverter devrelerde, motor kontrol sistemlerinde ve DC/DC konvertörlerde kullanılır. 1200V yüksek kırılma voltajı, hassas anahtarlama karakteristiği (46ns açılış, 97ns kapanış süresi) ve düşük 3.1V doyma voltajı ile güç kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Not: Bu ürün kullanım dışıdır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
41 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
82 A
Gate Charge
86 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
160 W
Reverse Recovery Time (trr)
63 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
1.8mJ (on), 1.93mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
46ns/97ns
Test Condition
800V, 21A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
3.1V @ 15V, 21A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V