IRG4PH30KPBF

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-247-3
Açıklama: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

IRG4PH30KPBF Hakkında

IRG4PH30KPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 20A maksimum kolektör akımı ve 100W güç kapasitesine sahip olan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, 640µJ açılış ve 920µJ kapanış switching enerjisi ile endüstriyel güç dönüştürme devreleri, motor kontrol uygulamaları, kaynak makineleri ve UPS sistemlerinde tercih edilmektedir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).

Ürün Özellikleri

15 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 20 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 40 A

Gate Charge 53 nC

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case TO-247-3

Part Status Obsolete

Power - Max 100 W

Supplier Device Package TO-247AC

Switching Energy 640µJ (on), 920µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 28ns/200ns

Test Condition 960V, 10A, 23Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 10A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V