Görsel mevcut değil
IRG4PH30KDPBF
IRG4PH30KDPBF Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG4PH30KDPBF, 1200V kollektör-emitter gerilimi ile tasarlanmış bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 20A sürekli ve 40A darbe collector akımı kapasitesi ile, 100W maksimum güç dağıtımına uygundur. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.2V Vce(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 39ns açılış ve 220ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı gösterir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel inverter uygulamaları, motor kontrol sistemleri, kaynak makineleri ve yüksek gerilim anahtarlama devreleri gibi güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
53 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
950µJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
39ns/220ns
Test Condition
800V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.2V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V