Görsel mevcut değil
IRG4PH30KD
IRG4PH30KD Hakkında
IRG4PH30KD, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT transistörüdür. 20A sürekli kolektör akımı ile tasarlanan bu bileşen, 100W maksimum güç sınırlaması içerir. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 53nC gate charge ve 39ns/220ns açılış/kapanış süresi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 1200V breakdown voltajı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde geniş endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
40 A
Gate Charge
53 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
50 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
950µJ (on), 1.15mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
39ns/220ns
Test Condition
800V, 10A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.2V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V