IRG4PH30K

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-247-3
Açıklama: IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

IRG4PH30K Hakkında

IRG4PH30K, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 20A sürekli kolektör akımı, 40A darbe akımı ve 100W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-247-3 paket tipinde sunulan bu transistör, endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürücülerde, DC-DC konverterlerde ve motor sürücülerinde kullanılır. 1200V yüksek voltaj derecelendirmesi ile yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Komponent obsolete statüsündedir.

Ürün Özellikleri

15 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 20 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 40 A

Gate Charge 53 nC

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case TO-247-3

Part Status Obsolete

Power - Max 100 W

Supplier Device Package TO-247AC

Switching Energy 640µJ (on), 920µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 28ns/200ns

Test Condition 960V, 10A, 23Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.2V @ 15V, 10A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V