IRG4PH20KD

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-247-3
Açıklama: IGBT 1200V 11A 60W TO247AC

IRG4PH20KD Hakkında

IRG4PH20KD, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 11A sabit kolektör akımı ve 22A darbe akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 60W maksimum güç dağıtımı, 28nC gate charge ve 620µJ açılış/300µJ kapanış switching enerjisi ile karakterizedir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. 1200V collector-emitter breakdown voltajı endüstriyel konverter, inverter ve motor kontrol devrelerinde yer alması uygun kılar. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).

Ürün Özellikleri

16 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 11 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 22 A

Gate Charge 28 nC

Input Type Standard

Mounting Type Through Hole

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)

Package / Case TO-247-3

Part Status Obsolete

Power - Max 60 W

Reverse Recovery Time (trr) 51 ns

Supplier Device Package TO-247AC

Switching Energy 620µJ (on), 300µJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 50ns/100ns

Test Condition 800V, 5A, 50Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 4.3V @ 15V, 5A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V