Görsel mevcut değil
IRG4PH20K
IRG4PH20K Hakkında
IRG4PH20K, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 11A kollektör akımı ve 60W güç yönetimi kapasitesiyle tasarlanmıştır. 1200V yüksek voltaj kabiliyeti sayesinde endüstriyel uygulamalarda, güç dönüştürücülerde, motor sürücülerinde ve kaynak cihazlarında kullanılır. 23ns açılış ve 93ns kapanış süresi ile hızlı anahtarlama özellikleri vardır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Gate charge değeri 28nC olup, sürücü devresi tasarımında dikkate alınmalıdır. Bileşen Through Hole montaj tipinde ve obsolete statüdedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Gate Charge
28 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
450µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/93ns
Test Condition
960V, 5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.3V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V