Görsel mevcut değil
IRG4PF50WDPBF
IRG4PF50WDPBF Hakkında
IRG4PF50WDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 900V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 51A DC kolektör akımı ve 204A pulslu akım kapasitesine sahiptir. 200W maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel uygulamalarda kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Vce(on) değeri 2.7V olup, 160nC gate charge ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Güç kaynakları, motor kontrolü, kaynak makineleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
51 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
204 A
Gate Charge
160 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Reverse Recovery Time (trr)
90 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
2.63mJ (on), 1.34mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
71ns/150ns
Test Condition
720V, 28A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 28A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
900 V