Görsel mevcut değil
IRG4PC50F-EPBF
IRG4PC50F-EPBF Hakkında
IRG4PC50F-EPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 70A devamlı kolektör akımı ve 280A pulslu akımla çalışabilen bu bileşen, 200W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, anahtarlama uygulamalarında, güç kaynakları, motor sürücüleri ve inverter devrelerde kullanılır. 1.6V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arasında işletim sıcaklığında kararlı performans gösterir. Hızlı anahtarlama özellikleri (31ns açılış, 240ns kapanış) sayesinde yüksek frekans uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
70 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
280 A
Gate Charge
190 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
200 W
Supplier Device Package
TO-247AD
Switching Energy
370µJ (on), 2.1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
31ns/240ns
Test Condition
480V, 39A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 39A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V