Görsel mevcut değil
IRG4PC30FPBF
IRG4PC30FPBF Hakkında
IRG4PC30FPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V/31A kapasiteli IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 100W maksimum güç dağıtımı ile tasarlanmıştır. 120A pulsa akımı desteği, 51nC gate charge ve kısa geçiş zamanları (21ns açılış, 200ns kapanış) sayesinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları, lehimleme sistemleri ve hava alanı uygulamalarında kullanılır. 1.8V Vce(on) değeri ile düşük kayıp karakteristiği gösterir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
230µJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/200ns
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V