Görsel mevcut değil
IRG4PC30FDPBF
IRG4PC30FDPBF Hakkında
IRG4PC30FDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 31A sürekli kolektör akımı ve 120A darbe akımı kapasitesine sahiptir. TO-247AC paketlemesiyle Through Hole montajı destekler. Maksimum 100W güç dağıtabilir ve -55°C ile +150°C arasında çalışır. 51nC gate charge ve 42ns on, 230ns off geçiş süresi özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel enerji dönüştürme, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-247AC
Switching Energy
630µJ (on), 1.39mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
42ns/230ns
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V