Görsel mevcut değil
IRG4IBC30S
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP
IRG4IBC30S Hakkında
IRG4IBC30S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V kolektör-emiter breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 23.5A sürekli akım ve 68A darbeli akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-220-3 Full Pack paketinde sunulan bu komponent, anahtarlama uygulamalarında kullanılan yüksek verimli güç elektroniği çözümleri için geliştirilmiştir. Düşük açılış ve kapatılış zamanları (22ns/540ns) ile yüksek frekanslı dc-dc dönüştürücüler, invertörler ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
68 A
Gate Charge
50 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
45 W
Supplier Device Package
TO-220AB Full-Pak
Switching Energy
260µJ (on), 3.45mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/540ns
Test Condition
480V, 18A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 18A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V