Görsel mevcut değil
IRG4IBC30FD
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 20.3A 45W TO220FP
IRG4IBC30FD Hakkında
IRG4IBC30FD, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 20.3A sürekli kolektör akımı ve 120A pulse akımı ile çalışabilir. 45W güç sınırlaması ve 1.8V Vce(on) gerilimi ile düşük kayıplar sağlar. 51nC gate charge ve 42ns/230ns turn-on/turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. Operating temperature aralığı -55°C ile 150°C arasında değişmektedir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrolü, güç kaynakları ve invertör devreleri gibi yüksek voltajlı, orta akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Parça kullanım dışı (Obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
20.3 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
45 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
PG-TO220-FP
Switching Energy
630µJ (on), 1.39mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
42ns/230ns
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V