Görsel mevcut değil
IRG4CC80SB
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT CHIP
IRG4CC80SB Hakkında
IRG4CC80SB, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) çip (die) format komponentdir. Standard giriş tipine sahip olan bu transistör, 600V collector-emitter breakdown voltajında çalışmaya tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Die format olması nedeniyle, yüksek yoğunluk uygulamalarında ve entegre devre tasarımlarında kullanılmak üzere intended tasarlanmıştır. Güç elektroniği, motor kontrol, enerji dönüşüm ve switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilen bir bileşendir. Obsolete durumda olsa da, heritage uygulamalar ve spesifik tasarımlar için referans teşkil etmektedir.
Ürün Özellikleri
7 özellik
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V