Görsel mevcut değil
IRG4CC50UB
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT DIE
IRG4CC50UB Hakkında
IRG4CC50UB, Infineon Technologies tarafından üretilen IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) DIE komponentdir. 55A maksimum kolektör akımı kapasitesine sahip olup, 600V kolektör-emitör breakdown voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarına dayanıklıdır. Vce(on) maksimum değeri 15V gate voltajında 10A akımda 2V olarak belirtilmiştir. Standard input tipine sahip olan bu bileşen, through hole montaj tipinde kullanılmaktadır. DIE paket formatında sunulan komponent, güç dönüştürme, motor sürücü, kaynak makinaları ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün yaşam döngüsü obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
8 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
55 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
Die
Part Status
Obsolete
Supplier Device Package
Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V