Görsel mevcut değil
IRG4BH20K-SPBF
IRG4BH20K-SPBF Hakkında
IRG4BH20K-SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paket ile sunulan bu komponent, maksimum 11A sürekli akım ve 22A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 60W güç disipasyonu ile tasarlanan cihaz, 28nC gate charge ve düşük switching delay zamanları (on: 23ns, off: 93ns) sayesinde yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Güç dönüştürme, inverter, motor kontrol ve UPS sistemleri gibi yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. NOT: Bu ürün üreticisi tarafından kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Gate Charge
28 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
450µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/93ns
Test Condition
960V, 5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.3V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V