Görsel mevcut değil
IRG4BH20K-S
IRG4BH20K-S Hakkında
IRG4BH20K-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. Maximum 11A collector akımı ve 60W güç dağıtımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponentin Vce(on) değeri 4.3V'tür. 28nC gate charge ve 23ns/93ns açılış/kapanış gecikmesi ile endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol sistemleri ve switched-mode güç kaynakları (SMPS) tasarımlarında kullanılır. -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Pulsed akım 22A'ye çıkabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Gate Charge
28 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
450µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/93ns
Test Condition
960V, 5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.3V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V