Görsel mevcut değil
IRG4BH20K-LPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 11A 60W TO262
IRG4BH20K-LPBF Hakkında
IRG4BH20K-LPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-262 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 11A sürekli akım ve 22A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 60W güç sınırlaması ile endüstriyel anahtarlama uygulamalarında, güç dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. 28nC gate charge değeri hızlı anahtarlama sağlarken, 23ns açılma ve 93ns kapanma süreleri yüksek frekans uygulamalarına imkan tanır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, through-hole montajı destekler. Ürün artık üretilmemektedir (obsolete). Teknisyen ve mühendisler benzer fonksiyon için güncel alternatifleri değerlendirmelidir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Gate Charge
28 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-262
Switching Energy
450µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/93ns
Test Condition
960V, 5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.3V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V