Görsel mevcut değil
IRG4BH20K-L
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1200V 11A 60W TO262
IRG4BH20K-L Hakkında
IRG4BH20K-L, Infineon Technologies tarafından üretilen 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 11A DC collector akımı ve 22A pulsed akım kapasitesine sahiptir. 60W maksimum güç seviyesinde çalışan transistör, endüstriyel güç elektronik uygulamalarında, DC-DC konvertörlerde, motor sürücülerinde ve UPS sistemlerinde kullanılır. 28nC gate charge değeri hızlı anahtarlama özelliğini gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Vce(on) 4.3V @ 15V, 5A koşullarında ölçülür. Collision Energy değerleri 450µJ (açılış) ve 440µJ (kapanış) olarak belirtilmiştir. Not: Bu ürün obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
11 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
22 A
Gate Charge
28 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-262
Switching Energy
450µJ (on), 440µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
23ns/93ns
Test Condition
960V, 5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
4.3V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200 V