Görsel mevcut değil
IRG4BC30WSTRR
IRG4BC30WSTRR Hakkında
IRG4BC30WSTRR, Infineon Technologies tarafından üretilen bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. D²PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu komponent, 600V collector-emitter breakdown voltajına ve maksimum 23A collector akımına sahiptir. 2.7V Vce(on) değeri ile 15V gate voltajında 12A akımda çalışmaktadır. Maksimum 100W güç dağılımı kapasitesi bulunan bu IGBT, güç elektroniği uygulamalarında, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, invertör ve konvertör tasarımlarında kullanılır. Yüksek voltaj ve akım kapasitesi ile kompakt paket tasarımı, endüstriyel kontrol sistemlerinde tercih edilen bir çözümdür. Ürün şu anda üretilmemektedir (obsolete).
Ürün Özellikleri
9 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V