Görsel mevcut değil
IRG4BC30W-SPBF
IRG4BC30W-SPBF Hakkında
IRG4BC30W-SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 23A nominal collector akımı ve 92A pulsed akımı ile tasarlanmış olup, 100W maksimum güç dağıtma kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 51nC gate charge ve 25ns/99ns açılış/kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılmaya uygun karakteristiklere sahiptir. 2.7V @ 15V, 12A Vce(on) değeri ile düşük kondendasyon kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı sayesinde endüstriyel motor kontrol, güç yönetimi ve switching power supply uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
92 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
130µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/99ns
Test Condition
480V, 12A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V