Görsel mevcut değil
IRG4BC30W-S
IRG4BC30W-S Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IRG4BC30W-S, 600V derecelendirilmiş bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 23A DC kolektör akımı ve 92A darbe akımı kapasitesi ile düşük ila orta güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK yüzey montajlı paket ile tasarlanan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve elektrik pano kontrollerinde yer almaktadır. 2.7V açık durumda gerilim düşüşü ve 25ns açılış, 99ns kapanış zamanları ile belirlenmiştir. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) endüstriyel ortamlar için uygunluğunu sağlar. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
92 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
130µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
25ns/99ns
Test Condition
480V, 12A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V