Görsel mevcut değil
IRG4BC30UDPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 23A 100W TO220AB
IRG4BC30UDPBF Hakkında
IRG4BC30UDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 23A collector akımı ve 100W güç dağıtım kapasitesine sahiptir. 50nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar. Vce(on) gerilimi 15V gate geriliminde 12A akımda 2.1V olup, veri sayfasında belirtilen 480V test şartlarında 23Ohm gate direnci ile çalışır. Reverse recovery time 42ns, turn-on delay 40ns ve turn-off delay 91ns'dir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. Endüstriyel uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç elektronikleri ve anahtarla yönetilen güç kaynakları gibi alanlarda kullanılmaya uygundur. Ürün şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
92 A
Gate Charge
50 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
380µJ (on), 160µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/91ns
Test Condition
480V, 12A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V