Görsel mevcut değil
IRG4BC30U-S
IRG4BC30U-S Hakkında
IRG4BC30U-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. D2PAK yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 23A DC ve 92A pulse kolektör akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 100W güç dağıtımı için tasarlanmış olup, -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. 50nC gate charge ile hızlı anahtarlama özellikleri ve 17ns açılış, 78ns kapanış zamanı ile 480V, 12A koşullarında verimli çalışır. Vce(on) değeri 15V gate voltajında ve 12A kolektör akımında 2.1V'dur. Güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve benzer yüksek akım uygulamalarında kullanılır. Bileşen üretimden çekilmiş durumdadır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
23 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
92 A
Gate Charge
50 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
160µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
17ns/78ns
Test Condition
480V, 12A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V