Görsel mevcut değil
IRG4BC30S-S
IRG4BC30S-S Hakkında
IRG4BC30S-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 34A maksimum collector akımı ve 68A pulse akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında hızlı on/off performansı (22ns/540ns) sunar. 100W maksimum güç yönetimi ve geniş çalışma sıcaklığı aralığı (-55°C ~ 150°C) ile endüstriyel güç elektroniği, motor kontrolü, UPS sistemleri ve inverter tasarımlarında kullanılmaktadır. 50nC gate charge karakteristiği ile sürücü tasarımı nispeten basittir. Bileşen güncel üretimde olmayıp yerini daha yeni mimariler almıştır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
34 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
68 A
Gate Charge
50 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
260µJ (on), 3.45mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/540ns
Test Condition
480V, 18A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 18A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V