Görsel mevcut değil
IRG4BC30KDSTRLP
IRG4BC30KDSTRLP Hakkında
IRG4BC30KDSTRLP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 28A sürekli kollektör akımı ve 56A darbe akımı kapasitesi ile yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 100W maksimum güç dağıtımına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen IRG4BC30K, endüstriyel sürücüler, motor kontrolü, elektrik çevirici devreleri ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda yer alır. 2.7V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Bileşen güncel üretimde yoktur (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
67 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
600µJ (on), 580µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
60ns/160ns
Test Condition
480V, 16A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V