Görsel mevcut değil
IRG4BC30KDPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 28A 100W TO220AB
IRG4BC30KDPBF Hakkında
IRG4BC30KDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 28A sürekli kolektör akımı ve 56A pulsed akımı ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100W maksimum güç yönetimi kapasitesi ile inverterler, motor kontrol devreleri, kaynak makineleri ve endüstriyel güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. 2.7V Vce(on) değeri ile düşük iletiş kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Ürün durumu itibariyle obsolete olup, yeni tasarımlar için güncel alternatiflerin kontrol edilmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
56 A
Gate Charge
67 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
600µJ (on), 580µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
60ns/160ns
Test Condition
480V, 16A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V