Görsel mevcut değil
IRG4BC30KD-STRR
IRG4BC30KD-STRR Hakkında
IRG4BC30KD-STRR, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 28A sürekli kolektör akımı ve 58A darbe akımı kapasitesiyle, maksimum 100W güç dağıtabilir. D2PAK (TO-263AB) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışır. 67nC gate charge ve 60ns/160ns açılış/kapanış zamanı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.7V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Güç elektronikleri, motor kontrol sürücüleri, enerji dönüştürme ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Parça durumu: Kullanım dışı.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
58 A
Gate Charge
67 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
600µJ (on), 580µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
60ns/160ns
Test Condition
480V, 16A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V