Görsel mevcut değil
IRG4BC30K-S
IRG4BC30K-S Hakkında
IRG4BC30K-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 28A sürekli collector akımı ve 58A pulse akımı kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 100W maksimum güç derecelendirmesi ile SMPS (Switched Mode Power Supply), inverterler, motor kontrolü ve DC-DC konvertörleri gibi güç elektronik devrelerinde yer alır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 2.7V Vce(on) düşük anahtarlama direnci ve 26ns/130ns hızlı Td(on/off) ile verimli enerji yönetimi sağlar. 67nC gate charge değeri düşük kapısal yüke işaret eder.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
28 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
58 A
Gate Charge
67 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
360µJ (on), 510µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
26ns/130ns
Test Condition
480V, 16A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 16A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V