Görsel mevcut değil
IRG4BC30FDSTRRP
IRG4BC30FDSTRRP Hakkında
IRG4BC30FDSTRRP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 31A maksimum kolektör akımı ve 120A pulse akım kapasitesi ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Surface mount D2PAK paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. 100W maksimum güç dağıtımı, 51nC gate charge ve düşük Vce(on) gerilimi (1.8V @ 15V, 17A) ile verimli anahtarlama sağlar. Ters kurtarma süresi 42ns, açılış enerjisi 630µJ ve kapanış enerjisi 1.39mJ'dir. Motor sürücüleri, güç kaynakları ve indüktif yük anahtarlaması gibi endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Parça durumu kullanımdan kaldırılmıştır (obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
630µJ (on), 1.39mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
42ns/230ns
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V