Görsel mevcut değil
IRG4BC30FDPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 31A 100W TO220AB
IRG4BC30FDPBF Hakkında
IRG4BC30FDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220AB paketinde sunulan bu komponent, 31A maksimum collector akımı ve 100W güç kapasitesi ile tasarlanmıştır. 124A pulse collector akımı destekler. Gate charge değeri 51nC olup, hızlı anahtarlama işlemleri için optimize edilmiştir. Uygulamalara bağlı olarak giriş türü Standard seviyesindedir. Ters recovery süresi 42ns ve switching energy değerleri (on: 630µJ, off: 1.39mJ) ile bu IGBT, güç elektroniklerinde yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı vardır. Not: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
124 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
630µJ (on), 1.39mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
42ns/230ns
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V