Görsel mevcut değil
IRG4BC30FD-S
IRG4BC30FD-S Hakkında
IRG4BC30FD-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 31A nominal collector akımı ve 120A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket tasarımı ile kompakt devre tasarımlarına uygun hale getirilmiştir. 51nC gate charge değeri ile kontrol devreleri için düşük sürüş gücü gereksinimi sağlar. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanım için tasarlanmıştır. Invertör, motor kontrol, kaynak makinaları ve AC/DC dönüştürücü devreleri gibi alanlarda yer bulur. Üretici tarafından 'Obsolete' olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Reverse Recovery Time (trr)
42 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
630µJ (on), 1.39mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
42ns/230ns
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V