Görsel mevcut değil
IRG4BC30F-STRR
IRG4BC30F-STRR Hakkında
IRG4BC30F-STRR, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 31A kollektör akımı ve 100W maksimum güç seviyesinde çalışabilir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajı paketinde sunulur. 51nC gate charge ve 21ns açılış, 200ns kapanış süreleriyle hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 17A akımda 1.8V olup, 600V yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygundur. Güç kaynakları, motor sürücüleri, UPS sistemleri ve endüstriyel inverter uygulamalarında tercih edilir. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).
Ürün Özellikleri
14 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
31 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
51 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
100 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
230µJ (on), 1.18mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/200ns
Test Condition
480V, 17A, 23Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 17A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V