IRG4BC30F-S

Üretici: Infineon
Kategori: IGBT Transistörler › Transistörler - IGBT - Tekil
Kılıf / Paket: TO-263-3
Açıklama: IGBT 600V 31A 100W D2PAK

IRG4BC30F-S Hakkında

IRG4BC30F-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 31A sürekli collector akımı ve 120A pulsed akım kapasitesiyle tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) yüzey monte paketinde sunulur. Maksimum 100W güç yayılımı kapasitesine sahiptir. Hızlı switching karakteristiğine (21ns açılış, 200ns kapanış) ve düşük on-state voltajına (1.8V @ 17A) sahiptir. Motor kontrol, güç dönüştürücüleri, inverterler ve PWM uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Gate charge değeri 51nC olup, 51mJ açılış ve 1.18mJ kapanış enerji kaybı sunar.

Ürün Özellikleri

14 özellik

Current - Collector (Ic) (Max) 31 A

Current - Collector Pulsed (Icm) 120 A

Gate Charge 51 nC

Input Type Standard

Mounting Type Surface Mount

Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Part Status Obsolete

Power - Max 100 W

Supplier Device Package D2PAK

Switching Energy 230µJ (on), 1.18mJ (off)

Td (on/off) @ 25°C 21ns/200ns

Test Condition 480V, 17A, 23Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 17A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V