Görsel mevcut değil
IRG4BC20W-SPBF
IRG4BC20W-SPBF Hakkında
IRG4BC20W-SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 13A maksimum collector akımı ve 52A pulse akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile PCB entegrasyonu sağlar. 60W maksimum güç disipasyonu, 26nC gate charge ve düşük switching enerji kaybı özellikleriyle motor kontrol, güç dönüştürücü ve inverter devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 2.6V maksimum VCE(on) ile iletim kaybı minimize edilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuş (Obsolete) statüsündedir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Gate Charge
26 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
60µJ (on), 80µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/110ns
Test Condition
480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 6.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V