Görsel mevcut değil
IRG4BC20W
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 13A 60W TO220AB
- Aile / Seri
- IRG4BC20W
IRG4BC20W Hakkında
IRG4BC20W, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 13A maksimum kolektör akımı ve 52A pulslu akım yeteneği ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 60W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Gate şarj değeri 26nC ve açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 22ns/110ns olarak belirtilmiştir. 2.6V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Şu anda üretim dışı durumda olup, güç elektronikleri, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda daha önce tercih edilmiştir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Gate Charge
26 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
60µJ (on), 80µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/110ns
Test Condition
480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 6.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V