Görsel mevcut değil
IRG4BC20W
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 13A 60W TO220AB
IRG4BC20W Hakkında
IRG4BC20W, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 13A maksimum kolektör akımı ve 52A pulslu akım yeteneği ile tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, 60W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. Gate şarj değeri 26nC ve açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 22ns/110ns olarak belirtilmiştir. 2.6V Vce(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Şu anda üretim dışı durumda olup, güç elektronikleri, motor kontrol ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda daha önce tercih edilmiştir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Gate Charge
26 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
60µJ (on), 80µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
22ns/110ns
Test Condition
480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 6.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V