Görsel mevcut değil
IRG4BC20UDPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 13A 60W TO220AB
IRG4BC20UDPBF Hakkında
IRG4BC20UDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 13A maksimum collector akımı ve 60W güç derecelendirmesi ile tasarlanmıştır. 27nC gate charge ile hızlı anahtarlama yapabilen transistör, güç elektroniği uygulamalarında kullanılır. Anahtarlama enerjisi 160µJ (açılış) ve 130µJ (kapanış) olup, Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 6.5A collector akımında 2.1V'tur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu IGBT, motor kontrol, inverter ve DC-DC dönüştürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Ürün obsolete (üretim dışı) statüsünde olup, through-hole montajı ile PCB'lere monte edilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
13 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
52 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
160µJ (on), 130µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
39ns/93ns
Test Condition
480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 6.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V