Görsel mevcut değil
IRG4BC20SD-SPBF
IRG4BC20SD-SPBF Hakkında
IRG4BC20SD-SPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 19A sürekli kolektör akımı ve 38A pulsed akımı ile çalışabilen bu bileşen, 60W maksimum güç disipasyonuna sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey monte paketinde sunulan komponent, düşük Vce(on) değeri (1.6V @ 15V, 10A) ile verimli anahtarlama sağlar. 27nC gate charge ve 37ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında kullanılır. Güç kaynakları, inverterler, motor kontrol uygulamaları ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) durumdadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
19 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
38 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
320µJ (on), 2.58mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
62ns/690ns
Test Condition
480V, 10A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V