Görsel mevcut değil
IRG4BC20SD-S
IRG4BC20SD-S Hakkında
IRG4BC20SD-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 19A sürekli akım ve 38A darbe akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile sunulur. 60W güç dissipasyonu ve 27nC gate charge karakteristiği ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 10A akımda 1.6V'tur. 62ns açılma ve 690ns kapanma süresi ile hızlı anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolü, güç kaynakları, invertörler ve enerji dönüştürme sistemlerinde tercih edilir. Not: Ürün durumu Obsolete (terk edilmiş) olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
19 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
38 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
320µJ (on), 2.58mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
62ns/690ns
Test Condition
480V, 10A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V