Görsel mevcut değil
IRG4BC20SD
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 19A 60W TO220AB
IRG4BC20SD Hakkında
IRG4BC20SD, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220AB paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 19A sürekli kolektör akımı ve 38A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Maksimum 60W güç dağıtabilir. 1.6V @ 15V, 10A seviyesinde vce(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 27nC gate charge ve 62ns açılış / 690ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Motor kontrol, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yükler gibi uygulamalarda kullanılan anahtarlama elemanı olarak tasarlanmıştır. Bileşen üretimden kaldırılmış (Obsolete) durumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
19 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
38 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
320µJ (on), 2.58mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
62ns/690ns
Test Condition
480V, 10A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.6V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V