Görsel mevcut değil
IRG4BC20KDSTRRP
IRG4BC20KDSTRRP Hakkında
IRG4BC20KDSTRRP, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 16A sürekli collector akımı ve 32A pulse akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarda kullanılır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, switching uygulamaları, motor kontrol devresi, invertörler ve güç dönüştürücülerde yer alır. 34nC gate charge ve 54ns/180ns on/off gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maximum 60W güç tüketimi ile düşük kayıplı uygulamalar için uygundur. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 9A collector akımında 2.8V'tur. Komponentin Part Status değeri Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
32 A
Gate Charge
34 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
340µJ (on), 300µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
54ns/180ns
Test Condition
480V, 9A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 9A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V