Görsel mevcut değil
IRG4BC20FD-STRR
IRG4BC20FD-STRR Hakkında
IRG4BC20FD-STRR, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. D2PAK yüzey montajlı paketlemede sunulan bu komponent, 16A sürekli ve 64A pulslu kolektör akımı kapasitesine sahiptir. 60W maksimum güç dağıtımı ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Reverse recovery time 37ns, gate charge 27nC ve 250µJ on / 640µJ off switching energy karakteristikleriyle hızlı anahtarlama gerektiren AC motor kontrolü, güç kaynakları ve şarj cihazları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığını destekler. Bileşen şu anda obsolete statüsündedir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
16 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
64 A
Gate Charge
27 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
60 W
Reverse Recovery Time (trr)
37 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
250µJ (on), 640µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
43ns/240ns
Test Condition
480V, 9A, 50Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 9A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V