Görsel mevcut değil
IRG4BC15MDPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 14A 49W TO220AB
IRG4BC15MDPBF Hakkında
IRG4BC15MDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V kollektör-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 14A sürekli akım ve 28A darbe akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 49W güç dağıtımı için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketi ile Through Hole montaj yöntemi kullanılan transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 46nC, Vce(on) 2.3V @ 15V/8.6A olan bu IGBT, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 21ns/540ns şartlara sahiptir. Endüstriyel uygulamalarda, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve inverter tasarımlarında kullanılan bu transistör, şu anda discontinued durumundadır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
28 A
Gate Charge
46 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
49 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
320µJ (on), 1.93mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21ns/540ns
Test Condition
480V, 8.6A, 75Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 8.6A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V