Görsel mevcut değil
IRG4BC10UDPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 8.5A 38W TO220AB
IRG4BC10UDPBF Hakkında
IRG4BC10UDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V kollektör-emitter breakdown voltajına sahip bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 8.5A sürekli akım kapasitesine ve 34A pulsed akımına sahip olan bu bileşen, 38W güç dağıtımı yapabilir. TO-220-3 paket tipinde sunulan komponent, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 15nC gate charge, 40ns açılış ve 87ns kapanış gecikme süreleri ile hızlı switching performansı sağlar. Enerji verimliliği için optimize edilmiş 140µJ açılış ve 120µJ kapanış switching enerjisine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 5A akımda 2.6V olup, 28ns reverse recovery time ile iyileştirilmiş geri kazanım özelliği sunar. DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
8.5 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
34 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
140µJ (on), 120µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/87ns
Test Condition
480V, 5A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.6V @ 15V, 5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V