Görsel mevcut değil
IRG4BC10SDPBF
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 14A 38W TO220AB
IRG4BC10SDPBF Hakkında
IRG4BC10SDPBF, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220AB paketinde sunulan bu komponent, maksimum 14A kolektör akımı ve 38W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 15nC gate charge değeri ile düşük sürüş gücü gerektirir. Vce(on) değeri 15V gate voltajında 8A akımda 1.8V olarak belirtilmiştir. 28ns reverse recovery time ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri, enerji dönüştürücüler ve açık kolektör uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ürün yaşı eski olup (Obsolete statüsü) yeni tasarımlarda alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
TO-220AB
Switching Energy
310µJ (on), 3.28mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
76ns/815ns
Test Condition
480V, 8A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V