Görsel mevcut değil
IRG4BC10SD-S
IRG4BC10SD-S Hakkında
IRG4BC10SD-S, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 14A kolektör akımı ve 38W güç dağıtım kapasitesiyle tasarlanmıştır. 15nC gate charge ve 76ns/815ns açılma/kapanma zamanı ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir operasyon sağlar. Enerji dönüştürme uygulamaları, invertörler, motor kontrolü ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete).
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
D2PAK
Switching Energy
310µJ (on), 3.28mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
76ns/815ns
Test Condition
480V, 8A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V