Görsel mevcut değil
IRG4BC10SD-L
- Üretici
- Infineon
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 14A 38W TO262
IRG4BC10SD-L Hakkında
IRG4BC10SD-L, Infineon Technologies tarafından üretilen 600V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Maksimum 14A kolektör akımı ve 38W güç yönetim kapasitesine sahip olan bu bileşen, TO-262-3 through-hole paketinde sunulmaktadır. 15nC gate charge ile düşük sürüş gereksinimi sağlayan bu IGBT, anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Td(on) 76ns ve Td(off) 815ns değerleriyle kontrollü anahtarlama davranışı gösterir. 1.8V Vce(on) ile minimum enerji kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bileşen, endüstriyel güç elektronikleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Not: Üretim durdurulmuş (Obsolete) ürün olup, alternatif bileşen seçimi önerilir.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
14 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
18 A
Gate Charge
15 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
38 W
Reverse Recovery Time (trr)
28 ns
Supplier Device Package
TO-262
Switching Energy
310µJ (on), 3.28mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
76ns/815ns
Test Condition
480V, 8A, 100Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.8V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V