IPD80R280P7, yüksek gerilim ve güç gerektiren uygulamalar için geliştirilmiş N-Channel MOSFET modelidir. 800V drenç-kaynak gerilim dayanımı ve 17A maksimum drenç akımı sayesinde SMPS güç kaynakları, inverter devreleri, endüstriyel sürücüler ve yüksek verimlilik gerektiren anahtarlama uygulamalarında güvenle tercih edilir.
Düşük RDS(on) değeri sayesinde iletim kayıplarını minimize ederken, 36 nC toplam gate yükü ile hızlı anahtarlama performansı sunar. TO-252 (DPAK) kılıf yapısı, kompakt tasarım ve etkili ısı dağılımı sağlayarak yüksek güç yoğunluğu gerektiren devrelerde avantaj sağlar.
| Özellik | Değer |
|---|---|
| Parça Kodu (MPN) | IPD80R280P7 |
| Marking Code | 80R280P7 |
| Transistör Tipi | MOSFET |
| Kanal Tipi | N-Channel |
| Maks. Drenç-Kaynak Gerilimi (Vds) | 800 V |
| Maks. Drenç Akımı (Id) | 17 A |
| Maks. Güç Dağılımı (Pd) | 101 W |
| Gate-Source Gerilimi (Vgs) | ±20 V |
| Gate Threshold Gerilimi (VGSth) | Maks. 3.5 V |
| RDS(on) | 0.28 Ω |
| Toplam Gate Yükü (Qg) | 36 nC |
| Rise Time (tr) | 6 ns |
| Çıkış Kapasitansı (Coss) | 20 pF |
| Maks. Junction Sıcaklığı (Tj) | 150 °C |
| Kılıf Tipi | TO-252 (DPAK) |
Bu ürüne ilk yorumu siz yapın!